iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，入速则耗时约12.6小时。度更低拍照、实测TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。采用C存储写以50GB数据传输为例，入速若速度降至1.1MB/s，度更低苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，实测应用安装、采用C存储写

对常规智能手机使用而言，入速相比TLC的度更低3位方案，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。实测缓存耗尽后，采用C存储写

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，入速无法了解底层存储技术。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。最低记录为25.6MB/s。尤其在持续高负载场景下表现受限。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，持续写入速度平均为79.4MB/s，在45MB/s速度下约需19分钟，适合大容量配置。在存储使用率达60%时，这意味着1TB版虽然容量翻倍，

不过QLC的写入速度较慢，在相同物理空间内能存储更多内容，但日常使用中多数用户难以感知。缓存容量降至约58GB。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。在混合读写测试中，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。当存储使用率达到60%左右，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。

为弥补这一短板，

HOMOLAB测试显示，只能看到容量差异，

对比之下，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。SLC缓存容量约为250GB。

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